芯長征的VD MOSFET——兼有雙極晶體管和普通MOS器件的優(yōu)點，無論是開關(guān)應(yīng)用還是線形應(yīng)用，VDMOS都是理想的功率器件。

芯長征VD MOSFET，采用條形元胞結(jié)構(gòu)，通過在工藝上對N-JFET的調(diào)整，減小JFET效應(yīng)，使器件的導(dǎo)通電阻減小，從而降低了器件工作時的溫升，提高了系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率，同時在EAS能力方面具有較大優(yōu)勢，產(chǎn)品的電壓覆蓋范圍500V~800V，電流覆蓋2A~25安培，可提供更多的產(chǎn)品選擇。


產(chǎn)品特點:                                                                                                                                          
·低Crss和低Qg, 降低開關(guān)損耗；
·低導(dǎo)通阻抗，降低導(dǎo)通損耗 ；
·高抗浪涌能力

VD MOSFETS                                                     VD MOSFETS