SGT MOSFET又名屏蔽柵MOSFET，是一種采用電荷耦合技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)極低導(dǎo)通壓降的單極性功率器件，是一種非常適合中低壓應(yīng)用的高性能器件。


芯長(zhǎng)征科致力于開(kāi)發(fā)高性能SGT MOSFET產(chǎn)品，目前覆蓋40V~200V，最大電流達(dá)到300A，并且通過(guò)優(yōu)化器件寄生電容，實(shí)現(xiàn)了極低FOM (RDSON*Qg) 優(yōu)值產(chǎn)品。

產(chǎn)品特點(diǎn)：
·低導(dǎo)通電阻，低FOM(RDSON*Qg)，高EAS能力